目前所收集的數(shù)據(jù),處理,分發(fā)及儲(chǔ)存的數(shù)量以令人不可置信的速度快速的成長(zhǎng)中。為了跟上這樣的發(fā)展,大型的存儲(chǔ)系統(tǒng),如同大容量的硬盤(pán)和個(gè)人使用的固態(tài)硬盤(pán),以及云端儲(chǔ)存服務(wù)系統(tǒng)以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)都是非常必要的。
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系列 | 產(chǎn)品名稱(chēng) | 照片 | 功率/電流 | 規(guī)格 | 溫度系數(shù) | 精度 | 阻段/感值 | 規(guī)格書(shū) | 詳情 |
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MW | 合金箔寬電極電流檢測(cè)電阻器 | 3W | MW25 | ±50~±100 | ±0.5%~±1% | 1mΩ~100mΩ | 772.72 KB |
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MW | 合金箔寬電極電流檢測(cè)電阻器 | 1.5W | MW12 | ±50~±100 | ±0.5%~±2% | 1mΩ~100mΩ | 772.72 KB |
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MW | 合金箔寬電極電流檢測(cè)電阻器 | 1W | MW08 | ±50~±100 | ±0.5%~±2% | 1mΩ~100mΩ | 772.72 KB |
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LR | 合金體電阻 | 2W、3W | LR12 | ±50 | ±1%~±5% | 3mΩ~350mΩ | 800.83 KB |
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LR | 合金體電阻 | 1W、1.5W | LR06 | ±50 | ±1%~±5% | 2mΩ~30mΩ | 800.83 KB |
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HV | 高壓厚膜晶片電阻器 | 1W | HV12 | ±100ppm/℃ | ±0.5%,±1%,±5% | 47Ω≤R≤10MΩ | 803.35 KB |
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HV | 高壓厚膜晶片電阻器 | 3/4W | HV10 | ±100ppm/℃ | ±0.5%,±1%,±5% | 47Ω≤R≤10MΩ | 803.35 KB |
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HV | 高壓厚膜晶片電阻器 | 1/2W | HV07 | ±100ppm/℃ | ±0.5%,±1%,±5% | 47Ω≤R≤10MΩ | 803.35 KB |
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HV | 高壓厚膜晶片電阻器 | 1/4W | HV06 | ±100ppm/℃ | ±0.5%,±1%,±5% | 47Ω≤R≤10MΩ | 803.35 KB |
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HV | 高壓厚膜晶片電阻器 | 1/8W | HV05 | ±100ppm/℃ | ±0.5%,±1%,±5% | 47Ω≤R≤10MΩ | 803.35 KB |
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HV | 高壓厚膜晶片電阻器 | 1/10W | HV03 | ±100ppm/℃ | ±0.5%,±1%,±5% | 47Ω≤R≤10MΩ | 803.35 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 3/4W | TC12 | ±25ppm/℃ | ±0.5% 、±1% | 1Ω≤R≤3MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 3/4W | TC12 | ±25ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25% | 4.7Ω≤R≤3MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 3/4W | TC12 | ±10ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25%、±0.5% 、±1% | 50Ω≤R≤200KΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 3/4W | TC12 | ±5ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25%、±0.5% 、±1% | 100Ω≤R≤25KΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/2W | TC10 | ±50ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25% | 4.7Ω≤R≤3MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/2W | TC10 | ±25ppm/℃ | ±0.5% 、±1% | 1Ω≤R≤3MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/2W | TC10 | ±25ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25% | 4.7Ω≤R≤3MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/3W | TC10 | ±10ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25%、±0.5% 、±1% | 50Ω≤R≤200KΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/3W | TC07 | ±25ppm/℃ | ±0.5% 、±1% | 2.49Ω≤R≤1.5MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/3W | TC07 | ±25ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25% | 4.7Ω≤R≤1.5MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/3W | TC07 | ±10ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25%、±0.5% 、±1% | 10Ω≤R≤1MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/4W | TC06 | ±50ppm/℃ | ±0.5% 、±1% | 1Ω≤R≤3MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/4W | TC06 | ±50ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25% | 4.7Ω≤R≤3MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/4W | TC06 | ±25ppm/℃ | ±0.5% 、±1% | 1Ω≤R≤3MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/4W | TC06 | ±25ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25% | 4.7Ω≤R≤3MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/4W | TC06 | ±10ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25%、±0.5% 、±1% | 10Ω≤R≤200KΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/10W | TC03 | ±50ppm/℃ | ±0.5% 、±1% | 1Ω≤R≤1MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/10W | TC03 | ±50ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25% | 4.7Ω≤R≤1MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/10W | TC03 | ±25ppm/℃ | ±0.5% 、±1% | 1Ω≤R≤1MΩ | 675.97 KB |
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TC | 高精度薄膜晶片電阻器 | 1/10W | TC03 | ±25ppm/℃ | ±0.1% 、±0.25% | 4.7Ω≤R≤1MΩ | 675.97 KB |
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SP | 超高功率厚膜晶片電阻器 | 3W | SP12 | ±100ppm/℃ | ±1% ±5% | 10.1Ω≤R≤10MΩ | 557.81 KB |
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SP | 超高功率厚膜晶片電阻器 | 2W | SP10 | ±100ppm/℃ | ±1% ±5% | 10.1Ω≤R≤10MΩ | 557.81 KB |
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SP | 超高功率厚膜晶片電阻器 | 2W | SP10 | ±200ppm/℃ | ±1% ±5% | 1Ω≤R≤10Ω | 557.81 KB |
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MS | 合金箔式電阻器 | 1/3W | MS02 | ±100~±150 | ±1% | 2.5mΩ~25mΩ | 749.86 KB |
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高功率繞線(xiàn)扁平鋁殼電阻器-HPWR Series | 375.54 KB |
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ZOEO | 鍍錫鐵棒 | ZOEO | ≤50mΩ | 235.89 KB |
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NS | 高品質(zhì)抗硫化汽車(chē)級(jí)晶片電阻器 | 1/10W、1/16W | NS02 | ±100ppm/℃ | ±1% ±5% | 10Ω≤R≤10MΩ | 776.63 KB |
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NS | 高品質(zhì)抗硫化汽車(chē)級(jí)晶片電阻器 | 1/10W、1/16W | NS02 | ±200ppm/℃ | ±1% ±5% | 1Ω≤R≤10Ω | 776.63 KB |
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